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芯片特性： 1.介绍： EN8F202 是低成本、高性能、8 位FLASH 单片机。采用精简指令架构，仅有36 条单字/ 单周期指令。除程序跳转指令为两个周期外的所有其他指令都是单周期的。EN8F202 器件的性能比同价位的同类产品要高出很多，易于使用且便于记忆的指令集大大缩短了开发时间。EN8F202 产品还配备了可以降低系统成本和功耗的特殊功能，上电复位（POR）和低电压复位（PED）功能，看门狗定时器和代码保护功能提高了系统的可靠性。 |
| 2.构架描述: 高性能 CPU： • 采用精简指令 架构，仅有36 条单字/单周期指令 （除程序跳转指令外的所有其他指令都是单周期指令,程序跳转指令是双周期指令） • 二级深的硬件堆栈 • 12 位宽指令集，8 位宽的数据路径 • 数据和指令的直接、间接和相对寻址模式 • 可擦写Flash 芯片，片内闪存（ROM）为1K 字，数据存储容量（RAM）为41 字节 • GP0~3 都可睡眠唤醒，且可通过软件独立设置内部上拉 • 工作速度：可通过软件设置为内部4MHZ 或者8MHZ，精度误差为-2%- +2%； • 工作电压2.0V~5.5V，实际操作可以到达1.8V-6.6V,但保证电压还是2.0V~5.5V。 • 有可选电源低压检测，欠压复位功能（PED），三级欠压复位 单片机的特性： • 上电复位（Power-on Reset,POR） • 器件复位定时器（Device Reset Timer,DRT） • 具有专用片内RC 振荡器的看门狗定时器（WDT），能够可靠地工作 • 代码保护功能 • I/O 引脚上的内部弱上拉 • 节省功耗的休眠模式 • 在引脚电平发生变化时从休眠模式唤醒 低功耗特性CMOS 技术： • 工作电流： - 在2V、4MHz 时< 170 uA • 待机电流： - 2V 时典型值小于100 nA • 全静态设计 • 宽工作电压范围：2.0V 到5.5V 外设功能： • 4 个I/O 引脚： - 3 个具有独立方向控制的I/O 引脚 - 1 个仅输入的引脚 - 高灌/ 拉电流可直接驱动LED - 每个I/O 引脚都具有电平变化时唤醒 - 弱上拉(GP0~GP3) • 具有8 位可编程预分频器的8 位实时时钟/计数器：（TMR0） |
| 脚位图定义: | ||
| 脚位功能定义： | ||||
| 引脚名称 | 功能 | 输入类型 | 输出类型 | 说明 |
GP0 | GP0 | TTL | CMOS | 双向I/O 引脚。可以通过软件设置，使之具有内部弱上拉或引脚电平变化时从休眠中唤醒功能。 |
| GP1 | GP1 | TTL | CMOS | 双向I/O 引脚。可以通过软件设置，使之具有内部弱上拉或引脚电平变化时从休眠中唤醒功能。 |
| GP2/T0CKI | GP2 | ST | CMOS | 双向I/O 引脚。 |
| T0CKI | ST | - | TMR0 的时钟输入。 | |
| GP3/MCLR | GP3 | TTL | - | 输入引脚。可以通过软件设置，使之具有内部弱上拉或引脚电平变化时从休眠中唤醒功能。 |
| MCLR | ST | - | 主清零。当配置为MCLR时，此引脚是低电平有效的复位信号。器件正常工作期间， GP3/MCLR/VPP上的电压不得超过VDD，否则器件将进入编程模式。如果配置为MCLR，则始终为弱上拉。 | |
| GP6 | P | - | 逻辑电路和I/O 引脚的正电源。 | |
| GP7 | P | - | 逻辑电路和I/O 引脚的正电源。 | |
| GP8 | P | - | 逻辑电路和I/O 引脚的正电源。 | |
| GP | P | - | 逻辑电路和I/O 引脚的参考地。 | |
| VDD | VDD | P | - | 逻辑电路和I/O 引脚的正电源。 |
| VSS | VSS | P | - | 逻辑电路和I/O 引脚的参考地。 |
| 应用说明：EN8F202 器件适合的应用有：LED 控制，红外遥控，个人护理设备，安全系统到低功耗远程发送器/ 接收器。小型封装的器件可用于过孔或表面封装，使这些单片机可以完全适应有空间限制的应用。 | ||
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