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EN8F509
点击次数:695次        更新时间:2017-04-18
EN8F509规格书,EN8F509使用说明,EN8F202  DATASHEET,8位单片机

芯片特性:

1.介绍:

EN8F509 是低成本、高性能、8 位FLASH 单片机。采用精简指令 架构,仅有36 条单字/ 单周期指令。除程序跳转指令为两个周期外的所有其他指令都是单周期的。EN8F509 器件的性能比同价位的同类产品要高出很多,易于使用且便于记忆的指令集大大缩短了开发时间EN8F509 产品还配备了可以降低系统成本和功耗的特殊功能,上电复位(POR)和低电压复位(PED)功能,看门狗定时器和代码保护功能提高了系统的可靠性。


2.构架描述:

高性能CPU:

• 采用精简指令架构,仅有36 条单字/单周期指令

(除程序跳转指令外的所有其他指令都是单周期指令,程序跳转指令是双周期指令)

• 二级深的硬件堆栈

• 12 位宽指令集,8 位宽的数据路径

• 数据和指令的直接、间接和相对寻址模式

• 可擦写flash 芯片,片内闪存(ROM)为1K 字,数据存储容量(RAM)为41 字节

• GP0~3 都可睡眠唤醒,且可通过软件独立设置内部上拉

• 工作速度:可通过软件设置为内部4MHZ 或者8MHZ,精度为2%

• 工作电压2.0V~5.5V,实际操作可以到达1.8V-6.6V,但保证电压还是2.0V~5.5V。

• 有可选电源低压检测,欠压复位功能(PED),三级欠压复位

单片机的特性:

• 上电复位(Power-on Reset,POR)

• 器件复位定时器(Device Reset Timer,DRT)

• 具有专用片内RC 振荡器的看门狗定时器(WDT),能够可靠地工作

• 代码保护功能

• I/O 引脚上的内部弱上拉

• 节省功耗的休眠模式

• 在引脚电平发生变化时从休眠模式唤醒

低功耗特性CMOS 技术:

• 工作电流:

- 在2V、4MHz 时< 170 uA

• 待机电流:

- 2V 时典型值小于100 nA

• 全静态设计

• 宽工作电压范围:2.0V 到5.5V

外设功能:

• 10 个I/O 引脚:

- 9 个具有独立方向控制的I/O 引脚

- 1 个仅输入的引脚

- 高灌/ 拉电流可直接驱动LED

- 每个I/O 引脚都具有电平变化时唤醒

- 弱上拉(GP0~GP5)

• 具有8 位可编程预分频器的8 位实时时钟/计数器:(TMR0)

脚位图定义:

脚位功能定义:
引脚名称功能输入类型
输出类型
说明


GP0 


 GP0TTL CMOS

双向I/O 引脚。可以通过软件设置,

使之具有内部弱上拉或引脚电平变化

时从休眠中唤醒功能。


GP1GP1TTLCMOS

双向I/O 引脚。可以通过软件设置,

使之具有内部弱上拉或引脚电平变化

时从休眠中唤醒功能。


GP2/T0CKIGP2TTLCMOS双向I/O 引脚。
T0CKIST -TMR0的时钟输入。
GP3/MCLR/VPPGP3TTL -

输入引脚。可以通过软件设置,使之具有内部弱上拉或引脚电平变化时从休眠中唤醒功能。


MCLRST-

主清零。当配置为MCLR时,此引脚是低电平有效的复位信号。器件正常工作期间, GP3/MCLR/VPP 上的电压不得超过VDD,否则器件将进入编程模式。如果配置为MCLR,则始终为弱上拉。


GP4/OSC2GP4TTLCMOS双向I/O 引脚
GP5/OSC1GP5STCMOS双向I/O 引脚。
GP6GP6TTL-双向I/O 引脚
GP7
GP7ST-双向I/O 引脚

GP8
GP8TTL-双向I/O 引脚
GP9GP9ST-双向I/O 引脚
VDDVDDP-逻辑电路和I/O 引脚的正电源。
VSSVSSP-逻辑电路和I/O 引脚的参考地。
应用说明:

EN8F509 器件适合的应用有:LED 控制,红外遥控,个人护理设备,安全系统到低功耗远程发送器/ 接收器。小型封装的器件可用于过孔或表面封装,使这些单片机可以完全适应有空间限制的应用。