单片机芯片特性：
EN8F158单片机-配置EEPROM,PWM，低成本、高性能、8 位、全静态flash 的CMOS 单片机。采用精简指令架构，仅有37 条单字/ 单周期指令。
单片机芯片架构描述：
精简指令集架构 l 8 层硬件堆栈 x12bitl 2T 或 4T 指令周期 l 4Kx14b 程序存储空间 i. 程序存储空间的 checksum 自动校验 ii. 可配置，User Option l 256x8b 数据 EEPROM i. 数据 EEPROM 在应用编程 ii. 可配置，Factory Option l 高耐用性 EEPROM i. 程序和数据 EEPROM 可经受 100 万次写操作 ii. EEPROM 保存时间>40 年 l 256x8b SRAM l 1 x 带 8 位预分频的定时器 0 l 1 x 带 3 位预分频的 16 位定时器 1 l 1 x 带 8 位预分频的 定时器 2 i. 慢时钟周期测量模式 l 增强性捕捉、比较和可编程―死区‖时间的 PWM 模 块 i. 时钟源可选：系统时钟或者是内部 32MHz 时钟 ii. 单次脉冲模式 iii. 最多 3 对带―死区‖的 PWM 输出 l 4x12bit Timer，4x12bit PWM，支持 BUZZER 模式 i. 支持每组 PWM 的互补脉冲输出 ii. 时钟最快 32M iii. 外设时钟输出 l 1x9bit 可编程脉冲发生器（PPG） i. 两个重载寄存器 ii. 脉冲极性可选择 iii. 支持脉宽限制 iv. 支持不可重复触发模式 v. 手动触发方式和比较器结果触发方式 |
l 内置 10 位的 ADC，支持 8 个通道（7 个外部通道 + 1 个内部 1/4VDD 通道） i. 参考电压可选：外部 Vref，VDD，内部2V/3V ii. 可配置，FactoryOption l 内置 6 个高速高精度比较器 i. 可编程的参考电压 ii. 比较结果可直接输出 iii. 比较结果可配置去抖 iv. 输入失调电压可校准 v. 迟滞控制（比较器 0/1/2/3） l 1x 运算放大器，支持软件校准输入失调电压 l 低电压复位LVR：2.0V/2.2V/2.8V l 低电压检测 LVD：2.0V2.4V/2.8V/3.0V/3.6V/4.2V l 3 对 USB 充电端口： i. 专用充电端口 DC+/DCii. 充电下行端口 DA+/DA-，DB+/DBiii. 支持 QC2.0 和 QC3.0 以及苹果、三星设备 iv. 最多同时对两个设备充电 v. 集成 D2I模块 l 最多 18 个通用 IO，20 个芯片管脚 i. 所有 IO带独立上拉控制 ii. 4 个 IO带独立下拉控制 l 下降沿中断，RA0~RA7 l 支持在系统编程 ICSP l 支持在线调试，3 个硬件断点 l 程序空间保护 l 工作电压范围：2.0V~ 5.5V l 最大时钟工作频率：16MHz i. FSYS=8MHz(2T mode): 2.0V~5.5V ii. FSYS=16MHz(2T mode): 2.7V~5.5V l 封装类型：SOP14, SOP16, SOIC20, SSOP20 |
EN8F158单片机应用市场：
灯具、成人用品、玩具、小控制产品等。
EN8F158单片机脚位功能定义图，请下载EN8F158单片机数据手册查看。
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