单片机芯片特性：
EN8F156单片机-兼容PIC16F18325单片机，配置EEPROM,A/D,PWM，是由完全静态CMOS 技术设计，集高速、体积小、低功耗和抗高噪声一体的单片机芯片。
单片机芯片架构描述：
高性能MCU： | 单片机特性：
|
l 自主精简指令集 l 8 层硬件堆栈 x11bit
l 2T 或 4T 指令周期
l 2Kx14b 程序存储空间
程序存储空间的 checksum 自动校验
可配置，User Option
l 256x8b 数据 EEPROM
数据 EEPROM 在应用编程
l 高耐用性 EEPROM
程序和数据 EEPROM 可经受 100 万次写操作
EEPROM 保存时间>40 年
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l 128x8b SRAM
l 1 x 带 8 位预分频的定时器 0
l 1x 带 3 位预分频的 16 位定时器 1
l 1 x 带 8 位预分频的定时器 2
l 增强性捕捉、比较和可编程“死区”时间的 PWM 模块
时钟源可选：系统时钟或者是内部 32MHz 时钟
单次脉冲模式
最多 3 对带“死区”的 PWM 输出
l 3x12bit Timer，3x12bit PWM，支持 BUZZER 模式
l 带 7 位预分频的WDT，溢出频率约为 16ms~2048ms
l 上电延迟计数器 PWRT |
低功耗特性CMOS 技术：
| 外设功能：
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l 低功耗模式 SLEEP
l 多个唤醒源，INT、端口变化中断、WDT 和数据 EEPROM 写完成，等等
l 内置高速 16M RC 振荡器
l 内置低速 32K RC 振荡器
l 支持外部晶振 16M 或 32K，以及外部时钟模式
时钟缺失检测
双速启动模式
l 内置 10 位的 ADC，支持 8 个通道（7 个外部通道 + 1 个内部 1/4VDD 通道）
参考电压可选：外部 Vref，VDD，内部 2V/3V
l 内置 2 个高速高精度比较器
可编程的参考电压
比较结果可直接输出
l 低电压复位 LVR：2.0V/2.2V/2.8V
l 低电压检测 LVD：2.0V2.4V/2.8V/3.0V/3.6V/4.2V
l 两路稳压输出：
每路分别可输出多达 32 档电压
l 最多 14 个通用 IO，16 根芯片管脚 |
14 个 IO 带独立上拉控制
4 个 IO 带独立下拉控制
l 端口变化中断，RA0~RA7
l 支持在系统编程 ICSP
l 支持在线调试，3 个硬件断点
l 程序空间保护
l 工作电压范围：2.0V~ 5.5V
l 工作温度：-40~85C
l 最大时钟工作频率：16MHz
² FSYS=8MHz: 2.0V~5.5V
² FSYS=16MHz: 2.7V~5.5V
l 封装类型：SOP8,MSOP10,SOP14，SOP16 |
EN8F156单片机应用市场：
马达控制、遥控、玩具、电源、充电设备、消费电子周边、安防报警、汽车电子等。
EN8F156单片机脚位功能定义，请下载EN8F156单片机数据手册查看。
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