3nm单片机芯片工艺的“战鼓”敲响了，深圳单片机开发方案公司英锐恩分享芯资讯。早前，三星宣布提速3nm单片机芯片工艺，且台积电相关人员在月初表示3nm单片机芯片工艺相关技术已经到位，只欠环评的东风了。可见，3nm单片机芯片工艺的竞争正式打响。20日，台湾台积电3nm单片机芯片工艺环评正式通过，200亿美金投资规模进入了一个新阶段。
3nm单片机芯片工艺对晶圆厂来说，要攻破技术研发之外，水电的消耗也是一个大问题，3nm单片机芯片工艺水电消耗是不容忽视的问题。特别是在大量使用EUV工艺之后，我们之前在介绍EUV光刻机时就提到过这个问题，由于EUV极其耗电，因为13.5nm的紫外光容易被吸收，导致转换效率非常低，据说只有0.02%，目前ASML的EUV光刻机输出功率是250W，工作一天就要耗电3万度，可见晶圆代工厂耗电量极大。
除了耗电之外，晶圆厂在制造芯片的过程中还需要大量水源，在已经做到80%以上的循环用水的情况下，大型晶圆代工厂日用水量达5万吨，用水总量依然惊人，所以建设半导体晶圆厂对环境方面的压力还是很大的，工艺越先进，问题就越明显。
晶元代工厂巨头们争相追逐先进的工艺制程，但是对于国内本土的晶圆代工厂来说，先进工艺支持需要耗费更多心力。单片机产业晶圆代工厂的前进让芯世界有更多可能。
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