单片机芯片特性：
EN8F683单片机-配置EEPROM,A/D,PWM，是低成本、高性能、8
位、全静态flash 的CMOS 单片机。采用精简指令 架构，仅有37 条单字/
单周期指令。除程序跳转指令为两个周期外的所有其他指令都是单周期的。EN8F683
器件的性能比同价位的同类产品要高出很多。易于使用且便于记忆的指令集大大缩短了开发时间。
单片机芯片构架描述：
高性能MCU：
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存储器：FLASH 空间：2K*14 位。可经受10 万次写操作；EEPROM 空间：256 字节。可经受100 万次写操作；SRAM 空间：128 字节。 8 级深硬件堆栈 I/O 引脚配置 具有独立方向控制的6个I/O 引脚：PA 口6 个。 高灌/拉电流可直接驱动LED。 PA 端口引脚电平变化中断。 PA 端口独立的可编程弱上拉。 定时器 Timer0：带8 位可编程预分频器的8 位定时器/计数器。 增强型Timer1： - 带有预分频器的16 位定时器/计数器。 - 外部Timer1 门控（计数使能）。 - 如果选择了INTOSC 模式，或者在LP 模式下可选择使用 OSC1 和OSC2 作为Timer1 的振荡器。 Timer2：带8 位周期寄存器、预分频器和后分频器的8 位 定时器/计数器。 增强型捕捉、比较和PWM 模块 - 16 位捕捉模块，最大分辨率为12.5ns。
| - 16 位比较模块，最大分辨率为200ns。 - 带有1、2 或4 路输出通道，可编程“死区时间”的10位PWM 模块，输出信号的最大频率为20kHz。 4 通道10 位ADC 4个外部ADC 输入。 ADC 参考电压可用软件选择为内部或外部参考。当选择内 部参考时，可通过配置寄存器选择片内2V，3V，4V 或者VDD 作为参考电压。 一个模拟比较器可在片上编程的比较器的参考电压 （CVREF）模块（参考电压一定是小于VDD，最低可以是0V）。比较器输入和输出可直接访问。 双时钟系统外部高速时钟：高达20MHz。 内部高速时钟：8MHz RC（Fcpu 仅支持8Mhz、4MHz、 2MHz、500KHz、250KHz、125KHz）。 内部低速时钟：RC 振荡器31KHz。 高性能的精简指令CPU 仅需学习35 条指 令。除跳转指令外的所有指令都是单周期的。直接、间接和相对寻址模式。
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| 单片机特殊特性 | 低功耗特性 |
- 高精度内部振荡器，出厂时精度校准为+/-1%。 - 可用软件选择的频率范围为125kHz 到8MHz。 - 软件可选的31kHz 内部振荡器。 - 节能的休眠模式。 - 宽工作电压范围（2.0V 到5.5V）。 - 工业级温度范围。 - 上电复位（Powe-onReset，POR）。 - 上电延时定时器（Power-upTimer，PWRT）和振荡器起 振定时器（OscillatorStart-upTimer，OST）。 - 带软件控制选择的PED 低电压侦测选择(侦测电压有 1.7V、2.1V、3.8V 可选，而且侦测电压不够准）。 - 带片上振荡器（振荡器频率可由软件选择，当预分频比最 大时其标称值为268 秒）并且可软件使能的增强型低电流 看门狗定时器（WatchdogTimer，WDT）。 - 带上拉的主复位，可复用为输入引脚。 - 可编程代码保护。
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待机电流： - 电压为2.0V 时，典型值50nA。 工作电流： - 频率为4MHz、电压为2.0V 时，典型值为220 uA。 - 频率为32kHz、电压为2.0V 时，典型值为11uA。 看门狗定时器电流： - 电压为2.0V 时，典型值为1uA。 通过两个引脚(PA0，PA1)实现在线串行编程和调试
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EN8F683单片机应用市场：
马达控制；遥控、玩具；电源、充电设备；消费电子周边；安防报警；汽车电子等。
EN8F683单片机脚位功能定义，请下载EN8F683单片机数据手册查看。
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